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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

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3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

SEMIPACK系列產品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環市場的27%。由于這些年來各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應電機的軟啟動，晶體化AC電機控制器的線性整流，DC電機控制以及電源，溫度控制

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